Hϵ�Мy(c��)���x�ͷDz���̽�^
 |
�˚⣺2517 �l(f��)���r(sh��)�g��2012-05-09 14:33 �P(gu��n)�I�~��늌�(d��o)�ʃx �a(ch��n)Ʒ��̖(h��o)��Hϵ�Мy(c��)���x�ͷDz���̽�^ ��(y��ng)���I(l��ng)��ˮ̎�� �a(ch��n)Ʒ�r(ji��)�����h ���˽����a(ch��n)ƷԔ�飬Ո(q��ng) |
��ϣ��˾��Hϵ�Мy(c��)���x���Բ��ÃɷN���g(sh��)�M(j��n)�Мy(c��)��,���քe��ISFET(�x���x��늘O��(ch��ng)Ч��(y��ng)���w�ܣ��Լ�������pH늘O����늻��W(xu��)�a(ch��n)Ʒ��(xi��n)��,��ISFET���P�̽�^���������x�ϴ���Ă��������c���y(t��ng)������IJ���늘O���,��ԓ���������и���(y��u)��������,��
ISFET���g(sh��)
ISFET���������g(sh��)�������ڹ�Ƭ�r�����x���Գ��e�ӌ�(zhu��n)�еĸ��w��,�����һ��ֻ�������x��,��ͨ�^(gu��)�y(c��)���ڂ����������ϻ�����������Ě��x��������늈�(ch��ng)Ч��(y��ng)�Ě��x�Ӕ�(sh��)�����Ķ��y(c��)���ó�pHֵ��
�惦(ch��)�;S�o(h��)��(ji��n)��
�c���y(t��ng)��늘O��ͬ,��ISFET�����������ڸ���ĭh(hu��n)���д惦(ch��),���o(w��)��ʹ�ô惦(ch��)��Һ����Ҫ��ϴ������,��ֻ��ʹ����ˢ���坍������,�����֮�£����y(t��ng)����늘O���y��ϴ늘O�Ŀp϶,������߀��Ҫ�~��Ę�Ʒ�Ƃ䡣ISFET������ʹ����֮��,��ֻ�������w�Â������ı��o(h��)ñ����,��
�������ƺͿ��̵ĵĭh(hu��n)����ʹ��
�Dz�����pH̽�^ʹ�üȷ��㣬ͬ�r(sh��)߀�܈�(ji��n)������,����ʳƷ�����,���̌W(xu��)��(sh��)�(y��n)�ҡ��h(hu��n)������,���r(n��ng)�I(y��)��ʯ�����ИI(y��)���Ѓ�(y��u)��������,��̽�^��̖(h��o)�����˘�(bi��o)��(zh��n)�ͣ���,���Լ����ײ���ʳƷ����ϴ�Ĵ̴���,��
|
���g(sh��)ָ��(bi��o) �ض� �� �̣�-5~105�棬���@ʾ���H �ֱ��ʣ�0.1�� ��(zh��n)�_�ȣ�±0.5�� mV �� �̣�±1999mV �ֱ��ʣ�0.1��1mV ��(zh��n)�_�ȣ�±1mV pH �� �̣�0.00-14.00pH �� �� �ʣ�0.1��0.01pH �ض����̣��B�m(x��)ʹ�ã�0-60�� 늌�(d��o)�� �� �̣�0.00μS-199.9μS���Ԅ�(d��ng)�x�����̣� �ֱ��ʣ�0.01μS��0.1μS��mS�� ��(zh��n)�_�ȣ�ȫ���̵�±1%��±1λ��(sh��) ��(bi��o)��(zh��n)��Galvanic���ܽ�����DO�� �� �̣�0.0%~199.9% Ͷȣ�0-19.99ppm��mg/L ��≺�a(b��)�����Ԅ�(d��ng) �ֱ��ʣ�0.1%,��0.01ppm��mg/L ��(zh��n)�_�ȣ�ȫ���̵�±1.5% �}�� �� �̣�0-80ppt �ֱ��ʣ�0.1ppt ��(zh��n)�_�ȣ�±0.1ppt(-2~35��) ��?c��)ܽ���w �� �̣�0.00ppm~200ppt(�Ԅ�(d��ng)�x������) �@ʾ������0.00mg/L~50g/L֮�g,�� �ֱ��ʣ�0.01ppm��0.01ppm(ppt,mg/L,g/L) ��(zh��n)�_�ȣ�ȫ���̵�±1% |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
