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電滲析工藝進(jìn)水鈣離子究竟要控制在多少以下呢,?

更新時間:2021-03-09 15:10 來源:膜法水處理札記 作者: 六爺 閱讀:8462 網(wǎng)友評論0

中水回用,、廢水零排放中,,廢水的濃縮減量,往往會涉及到鈣鹽的結(jié)垢問題,。

針對于電滲析工藝,,進(jìn)水鈣離子究竟要控制在多少以下呢?

以硫酸鈣系統(tǒng)為例:

資料01 硫酸鈣的結(jié)垢

在工業(yè)廢水的處理中,,碳酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽都是比較常見的結(jié)垢成分,,碳酸鹽和磷酸鹽一定程度上可以通過酸來調(diào)控,,而硫酸鈣垢往往致密堅(jiān)硬且酸堿難溶,在膜濃縮過程中很不受待見,。

最常規(guī)理解:如果系統(tǒng)產(chǎn)生硫酸鈣結(jié)垢,,廢水中其硫酸鈣溶液濃度已過飽和。在這類系統(tǒng)的測算中,,免不了需要了解物質(zhì)的溶解度及其影響因素,。

結(jié)晶過程的產(chǎn)生取決于固體與其溶液之間的平衡關(guān)系,溶質(zhì)從溶液中結(jié)晶出來,,正常都涉及到兩個過程:晶核的產(chǎn)生和晶體的生長,。溶液的過飽和度與結(jié)晶存在以下的關(guān)系:

曲線B:物質(zhì)溶解度曲線;B曲線以下,,屬于穩(wěn)定區(qū),,不存在結(jié)晶問題。

曲線A:超溶解度曲線,;A曲線以上,,屬于不穩(wěn)定區(qū),溶液能自發(fā)的產(chǎn)生晶核,,并伴隨晶體生長,。

曲線A和B之間其實(shí)還存在一個介穩(wěn)區(qū),溶液也處于過飽和狀態(tài),,但是由于無法自發(fā)形成晶核,,所以還不會產(chǎn)生晶體。

不難理解,,B曲線很容易得到,,那A曲線可以怎么得到呢?按我的理解,,上圖可以給我們一些答案:B曲線條件下,,緩慢降低溫度,有晶體析出時,,即可找到對應(yīng)的A曲線對應(yīng)的點(diǎn),。

在實(shí)際過程中,超溶解度曲線的繪制往往會更加復(fù)雜一些,?;谶@些特點(diǎn),電滲析系統(tǒng)中硫酸鈣的結(jié)垢問題是否也需要多角度考慮,?

綜合膜行業(yè)朋友的各類反饋:超溶解度曲線對ED而言,,意義不明顯,,目前均以B曲線參考為主,測算硫酸鈣的溶度積,。

部分可參考性解釋如下:1.介穩(wěn)區(qū)的區(qū)間有限,,電滲析存在溫升,無法實(shí)現(xiàn)精度控制,,而且也沒有必要,;2. 電滲析遷移過程,膜表面與隔室間溶液存在濃度差,,并非一個完全均一的溶液系統(tǒng),;3. 電滲析存在倒極功能,一定條件下的高頻電場可以產(chǎn)生靜電斥力,、抑制晶體生長速率,;4.工業(yè)水硫酸鹽系統(tǒng)大多為混鹽,無法得到唯一的參考曲線,。

資料02 幾個重要的概念

在進(jìn)行硫酸鈣系統(tǒng)沉淀,、溶解等平衡測算時,主要涉及到混合溶液中其它離子對溶解度的影響,,這里需要重新回憶大學(xué)無機(jī)化學(xué)的幾個概念:

離子活度:離子實(shí)際發(fā)揮作用的濃度稱為有效濃度,,或稱為活度。即有時候結(jié)垢的陰陽離子沒有想象的那么容易“碰面”,。

離子強(qiáng)度:離子強(qiáng)度是衡量溶液中存在離子所產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的量度,,水溶液中電解質(zhì)的濃度會影響到其他鹽類的溶解度,而影響的強(qiáng)弱程度就稱為離子強(qiáng)度,。

離子積和溶度積常數(shù):前者大,,析出沉淀;后者大,,無沉淀析出,;兩者相等,溶液飽和,。

測算時,,可參考的公式如下:

其中硫酸鈣在25℃條件下,溶度積KSP'常數(shù)與離子強(qiáng)度的參考曲線:

雖然上述3.2德拜-休克爾公式有應(yīng)用前提條件,,但以公式為基礎(chǔ),,硫酸鈣的KSP'常數(shù)與離子強(qiáng)度的關(guān)系曲線就不難理解。在低濃度時,,溶解度隨離子強(qiáng)度增大,,活度系數(shù)降低,故而硫酸鈣溶解度增加,,在高鹽濃度況下,,硫酸鈣形成離子對,,短程靜電相互作用增強(qiáng),使溶解度降低,。

在實(shí)際的ED工藝測算中,,含硫酸鈣的廢水系統(tǒng),測算過程相對簡單化:1. 根據(jù)工藝要求,,設(shè)定濃縮倍數(shù),測算出濃水水質(zhì),;2. 以濃水?dāng)?shù)據(jù),,測算出系統(tǒng)的濃水離子強(qiáng)度,;3. 以離子強(qiáng)度數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),,根據(jù)曲線得到濃水硫酸鈣的KSP'常數(shù);3. 根據(jù)離子濃度,,計(jì)算出硫酸鈣的離子積常數(shù),;4. 基于上述參數(shù),核對工藝參數(shù)設(shè)定是否合理?進(jìn)水Ca離子是否滿足要求,?

資料03 案例測算說明

(1) 電滲析初步按濃水TDS=180g/L考慮,,濃縮倍數(shù)約5.47倍;

(2) 測算出此條件下的濃水水質(zhì),,再求離子強(qiáng)度=2.88mol/L(按公式3.3計(jì)算即可),;

(3) 得到濃水硫酸鈣KSP'常數(shù)=31.2*10^(-4),查圖即可,;

(4) 濃水硫酸鈣離子積常數(shù)=4.67*10^(-4),,按公式計(jì)算;

(5) 為了提高穩(wěn)定性,,濃水最終按0.8ksp'考慮,;

(6) 即滿足濃水離子積常數(shù)<0.8濃水KSP'常數(shù),系統(tǒng)結(jié)垢風(fēng)險(xiǎn)極低,。

一套流程下來,,測算的過程是否與RO設(shè)計(jì)思路類似?

顯然在這類系統(tǒng)中,,前期的評估我們更多地只考慮了鹽效應(yīng)的影響,,硫酸鈣的結(jié)垢對電滲析而言,系統(tǒng)還可以通過添加阻垢劑,、高頻的倒極,、單價(jià)選擇膜的選型、設(shè)備的拆洗等方式進(jìn)行應(yīng)對,。此外,,由于硫酸鈣的沉淀優(yōu)先在陰膜表面產(chǎn)生,,所以陰膜性能的優(yōu)化也是一個選擇,組器的設(shè)計(jì)更是如此,。

綜合上述簡易分析,,不難理解,對于電滲析進(jìn)水鈣離子而言,,幾十ppm,、幾百ppm、幾千ppm的系統(tǒng),,也未嘗不可處理,,關(guān)鍵還是水質(zhì)特性和處理目標(biāo)。

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